RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
56
Rund um 57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
4.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
7.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
4.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
1598
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link