RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
56
Около 57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
7.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
4.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
56
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
7.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
4.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1598
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link