RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
32
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
6.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
1844
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link