RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1844
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link