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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
24
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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