RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
29
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3734
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link