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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.8
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
16.1
18.8
写入速度,GB/s
10.1
15.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3734
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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