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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.8
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
16.1
18.8
写入速度,GB/s
10.1
15.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3734
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
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