RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
24
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.1
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
20.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
18.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3529
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link