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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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相違点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
18
24
周辺 -33% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.4
16
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
18.1
12.5
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
18
読み出し速度、GB/s
16.0
20.4
書き込み速度、GB/秒
12.5
18.1
メモリ帯域幅、mbps
19200
19200
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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