RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
37
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2461
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link