RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
37
Autour de 35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
37
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2461
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link