RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
34
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
16
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
25600
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2789
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link