RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2789
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link