RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Сравнить
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.3
Скорость записи, Гб/сек
8.6
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2196
2930
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link