RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около -27% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
26
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2890
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link