Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Gesamtnote
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Gesamtnote
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Unterschiede

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.6 left arrow 14.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.0 left arrow 9.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 21300
    Rund um 1.2% höhere Bandbreite
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    26 left arrow 33
    Rund um -27% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    33 left arrow 26
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.6 left arrow 14.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.0 left arrow 9.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2910 left arrow 2890
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RAM 1
RAM 2

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