RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
56
Около 57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
56
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link