RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
56
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
56
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link