RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
72
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
72
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
1631
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link