RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
41
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3731
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link