RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
36
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2381
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link