RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
51
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
15.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3567
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link