RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
51
Autour de -76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
29
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3567
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link