RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

24 50

Rund um 52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16 10.2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.5 7.5

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 19200

Rund um 1.11 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2925 2064

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns