RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
50
Autour de 52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
50
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2064
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link