RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
85
Rund um 72% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
85
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
1838
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link