RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
85
Около 72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
85
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1838
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link