RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
30
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3491
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link