RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3491
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link