RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
27
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.3
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
17.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3714
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link