RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3714
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link