RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3714
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link