RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
30
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2807
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link