RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
48
Rund um 50% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
16
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2366
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link