RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Vergleichen Sie
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Gesamtnote
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
49
Rund um -88% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.8
1,681.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
4200
Rund um 4.57 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,204.9
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,681.5
16.8
Speicherbandbreite, mbps
4200
19200
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
324
3937
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
OCZ OCZ3T1600LV2G 2GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link