RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
27
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
6.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.2
11.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1411
2975
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB RAM-Vergleiche
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston KHX16 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link