RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
6.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.2
9.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1411
2382
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB RAM-Vergleiche
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link