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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
26
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
8.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1610
2340
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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