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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
38
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
26
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
8.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1610
1865
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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