Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Gesamtnote
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Gesamtnote
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Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    26 left arrow 38
    Rund um 32% geringere Latenzzeit
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 11.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.5 left arrow 7.6
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    26 left arrow 38
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.9 left arrow 13.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.6 left arrow 8.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1610 left arrow 1865
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RAM 1
RAM 2

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