Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB против Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 38
    Около 32% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.7 left arrow 11.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.5 left arrow 7.6
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    26 left arrow 38
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.9 left arrow 13.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.6 left arrow 8.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1610 left arrow 1865
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения