Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Note globale
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Note globale
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Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    26 left arrow 38
    Autour de 32% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.7 left arrow 11.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.5 left arrow 7.6
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    26 left arrow 38
  • Vitesse de lecture, GB/s
    11.9 left arrow 13.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.6 left arrow 8.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1610 left arrow 1865
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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