RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
26
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1610
3255
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link