RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
14.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1610
3386
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link