RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
33
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
11.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1610
3084
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link