RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
71
Rund um 63% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
7.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1610
1757
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link