RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
76
Rund um 66% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
6.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1610
1260
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link