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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
26
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1610
2801
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
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