Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Gesamtnote
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Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB

Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB

Gesamtnote
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 37
    Rund um 19% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    21.4 left arrow 11.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.3 left arrow 8.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 10600
    Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    30 left arrow 37
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.3 left arrow 21.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.3 left arrow 14.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1752 left arrow 3448
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RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche