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Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Comparar
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
Pontuação geral
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
37
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.4
11.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
37
Velocidade de leitura, GB/s
11.3
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1752
3448
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
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Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
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