RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gesamtnote
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
61
Rund um -135% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.5
1,670.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
61
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,529.3
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.4
5.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
517
1925
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link