RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
56
61
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
1,670.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
61
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,529.3
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.4
7.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
517
2200
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link